（原标题：这类芯片，需求激增）
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来源 ： 内容编译自chosun 。
KB证券23日分析称，受近期内存需求激增影响，三星电子半导体业绩提升速度有望超预期，将目标股价上调至11万韩元，维持投资意见为“买入”。
KB证券研究员金东元表示，“我们将今年和明年的净利润较之前预测分别上调16.1%和24.4%，至34万亿韩元和52万亿韩元”，并补充道，“今年下半年，半导体部门的营业利润预计将达到20.8万亿韩元，比去年同期增长33%”。
Kim研究员表示，“在明年NVIDIA的Rubin即将搭载的高带宽存储器（HBM）HBM4中，三星电子有望在竞争对手中占据优势地位”，并解释道，“三星电子的HBM4采用1c DRAM和4纳米（纳米·1纳米=十亿分之一米）逻辑芯片（HBM底层的大脑芯片），有望在供应商中实现最高性能（11Gbps），同时满足NVIDIA对更高性能和更大容量的规格要求。”
他补充道：“通过NVIDIA最终质量测试的12层HBM3E的供应可见性以及新HBM4供应可能性的扩大将在全球HBM市场中起到强有力的参考作用，从而导致AMD、博通、亚马逊和谷歌等大型科技公司的HBM供应量同时激增。”
Kim研究员预测，三星电子在本轮周期中的业绩和股价走势将与以往有所不同。他解释道：“除了明年新的HBM扩产计划外，在通用存储器产能扩张有限的情况下，存储器需求正从AI数据中心向服务器DRAM、第七代图形DRAM（GDDR7）、最新的低功耗DRAM（LPDDR5X）以及固态硬盘（eSSD）等方向多元化发展。此外，NVIDIA HBM3E 12层存储器质量测试的通过，以及基于1c DRAM的HBM4供货可能性的扩大，预计将推动明年HBM出货量激增。”
三星和SK海力士将涨价
最近,由于存储器市场供应不足,三星电子将上调主要存储器价格。 预计SK海力士也将参与涨价。
22日，据电子业界和台湾媒体透露，三星电子对主要顾客通报说，最近将把部分DRAM产品的价格最多上调30%，对NAND产品的价格最多上调10%。
随着存储器市场的大户三星电子上调价格,SK海力士也即将上调价格。
SK海力士相关人士解释说:"虽然目前没有向顾客通报上调价格,但随着市场价格的上涨,预计价格自然会上涨。"
最近,随着来自AI数据中心的存储器需求增加,存储器企业一致上调了价格。 sandisk本月初向顾客公司通报将nand闪存产品价格上调10%,micron的主要产品价格也即将上调。
DRAM价格的上涨受AI数据中心的高带宽存储器(HBM)的影响很大。 三星电子、SK海力士、美光等3家存储器公司为了确保HBM生产能力,减少了对现有通用存储器的分配,从而减少了DRAM的供应。 再加上旧型存储器DDR4面临停产,出现了缺货现象,以DDR4为中心的整体价格正在上升。
NAND内存市场也受到了AI数据中心的影响。 因为随着需要迅速处理数据的大容量存储器,除了现有的硬盘驱动器(HDD)外,对高容量的eSSD储存装置的需求也大幅增加。
市场调查机构Market Insights预测,AI服务器市场的增长将带动DRAM市场的增长。 Tech Insights存储器市场负责理事迈克霍华德最近在面向顾客的网络研讨会上预测说:"从2024年到2030年，AI服务器上的DRAM搭载容量将从平均1TB(兆字节)扩大到2.5TB(兆字节)2.5倍以上。" 因此,数据中心DRAM的销售额预计将从2024年的480亿美元增长到2030年的1540亿美元,占总DRAM销售额的70%。
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